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中国各地成立基金支持集成电路等产业发展风起云涌,目前除了北、上、深一线城市,各省市均有规模不等的集成电路投资基金,总计规模超过3千亿元,如果加上民间资金很可能已经超过3500亿元规模。这股各地投资集成电路的风潮又快又猛,已引起专家关注。一、国家集成电路产业投资基金2014年6月24日《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布实施后,明确提出设立国家产业投资基金,并支持设立地方性集成电路产业投资基金,鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域。截至2016年年底,国家集成电路产业投资基金股份有限公司"大基金"两年多来共决策投资43个项目,累计项目承诺投资额818亿元,实际出资超过560亿元。已实施项目覆盖了集成电路设计、制造、封装测试、装备、材料、生态建设等各环节,实现了在产业链上的完整布局。二、地方集成电路产业投资基金全国也各地掀起了一股基金热潮。根据业内专家统计、整理了国内的集成电路产业投资基金情况。●北京300亿元2013年12月北京宣布设立集成电路产业发展股权投资基金,基金总规模300亿元。2014年6月4日确定北京盛世宏明投资基金管理有限公司为母基金及制造和装备子基金管理公司,北京清芯华创投资管理有限公司为设计和封测子基金管理公司。2014年7月29日北京集成电路产业发展股权投资基金有限公司成立,注册资本90.09亿元。股东包括中关村发展集团股份有限公司、北京盛世宏明投资基金管理有限公司。参与的项目有瑞典MEMS晶圆代工商Silex收购案、圆融光电等。●湖北300亿元2015年湖北宣布设立集成电路产业投资基金,基金总规模300亿元,建设武汉中国光谷集成电路产业园区;2015年8月5日湖北集成电路产业投资基金股份有限公司成立,注册资本50亿元。股东包括武汉经济发展投资(集团)有限公司、湖北省科技投资集团有限公司。参与的项目有武汉新芯二期。●合肥100亿元2015...
2024-02-27
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中国电子科技集团公司(CETC)成立于2002年3月1日,是以原信息产业部直属电子研究院所和高科技企业为基础、组建而成的国有大型企业集团,也是国家批准的国有资产授权投资机构之一。由国务院国有资产监督管理委员会直接监管。集团公司总部设在北京,所属二级成员单位58家,三级公司184家,分布在全国18个省市区。其中,有7家公司是上市公司,包括杰赛科技、海康威视、太极股份、华东电脑、四创电子、卫士通和国睿科技。集团公司注册资本47.68亿元,2013年实现总收入1200亿元。
2024-02-27
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IGBT:  是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。IGBT:  是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。场效应管和IGBT有什么不同?IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的,容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管,大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管,功率可以做的很大。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集...
2024-02-27
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IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。随着以轨道交通为代表的新兴市场兴起,中国已经成为全球IGBT最大需求市场。IGBT按电压分布应用领域来源:SITRI产业研究搜集整理IGBT技术发展史从上世纪80年代至今,IGBT经历了六代技术的发展演变,这个过程是很艰苦的,面对的是大量的结构设计调整和工艺上的难题。IGBT从第一代到第六代的演变发展进程来源:SITRI产业研究搜集整理IGBT技术发展历史来源:内部资料回顾IGBT的发展历程,其主要从三方面发展演变:(1)器件纵向结构:非穿通型(NPT)结构→拥有缓冲层的穿通型(PT)结构→场终止型(FS)、软穿通型(SPT)结构(2)栅极结构:平面栅结构→垂直于芯片表面的沟槽型结构(3)硅片的加工工艺:外延生长技术→区熔硅单晶纵观全球市场,IGBT主要供应厂商基本是欧美及日本几家公司,它们代表着目前IGBT技术的最高水平,包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。其IGBT技术基本发展到第六代技术产品,IGBT产品覆盖了600-6500V/2-3600A全线产品。在高电压等级领域(3300V以上)更是完全由英飞凌、ABB、三菱三大公司所控制,在大功率沟槽技术方面,英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。国内IGBT产业链主要厂商我国的IGBT厂商主要包含IDM厂商株洲中车时代电气、深圳比亚迪、杭州士兰微、吉林华微、中航微电子、中环股份等;模组厂商西安永电、西安爱帕克、威海新佳、江苏宏微、嘉兴斯达、南京银茂、深圳比亚迪等;芯片设计厂商中科君芯、西安芯派、宁波达新、无锡同方微、无锡新洁能、山东科达等;芯片...
2024-02-27
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半导体一分钟芯闻,您的芯闻助理,每天一分钟,我们为您提供行业最新资讯信息!晶圆定义晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。制造过程晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路最主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯,将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅,这对微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此对冶金级硅进行进一步提纯:将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。接下来是单晶硅生长,最常用的方法叫直拉法。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的,在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方...
2024-02-27
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中国大陆正在成为全球半导体产业扩张宝地。继大陆最大晶圆代工厂中芯国际近一个月接连在上海、深圳建12寸厂后,晶圆代工厂联电16日也宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运。从上表中可以看出,中芯国际扩张可谓明显。那么,中芯国际启动此次大幅扩张策略的信心来自哪里呢?首先,中芯国际是国内芯片制造业的领头羊。其次,中芯国际股价大幅上扬。 再次,中芯国际2020年有望进入全球代工前三。最后,中芯国际的产能扩充效果明显。 因此,现阶段对中芯国际而言,可能扩充产能是提高销售额的有效方法之一,销售额的提升将有利于中芯国际的折旧能力提高,可以使其负担更大的投资。”台积电(TSMC)是晶圆代工产业的2015年销售业绩龙头,去年销售额达到了264亿美元;从12英寸计,目前台积电的月产能约是100万片,但是依然供不应求,产能相当吃紧。台积电在南京市建设的12寸生产线,产能规划为2万片/月,预计于2018年量产16纳米制程,但是理论上来说,这样的产能扩充,似乎还不能满足大陆客户日益增长的市场需求,据称后续产能可能会扩到4万片。联电晶圆代工厂,于11月16日宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运(加入中国大陆现有12寸晶圆厂之列),这是首座两岸合资12寸晶圆厂。英特尔、三星与SK 海力士大厂早已在中国插旗,并将主力放在存储产业。特别的是英特尔大连12 寸晶圆厂在2010 年完工当时,厂房规划用以生产65 纳米制程CPU ,但在产能利用率低落下,2015 年10 月英特尔宣布与大连市政府合作,投资55 亿美元转型生产3D-NANDFlash 并在今年7 月底重新宣告投产。中国本土厂商现有12 寸厂的为中芯国际与华力微,两者分别在上海都有厂房,中芯在北京还有B1、B2 两座晶圆厂,其中B2 厂制程已至28纳米。5月联电宣布与福建晋华集成电路签署技术...
2024-02-27
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厦门三安建成6吋化合物半导体生产线11月10日讯 据厦门日报报道  在厦门火炬高新区,有这样一种“黑科技”,它能够让你的智能手机反应速度更快、电池使用时间更长。这,就是化合物半导体。高新区企业厦门市三安集成电路有限公司在国内率先建成了6吋化合物半导体的量产线和代工线,从而打破了国外厂商的垄断。目前,该公司已经实现了对国内手机品牌的小规模供货,明年有望参与到国际一线市场的竞争中。  △图为三安集成电路技术中心副总监叶念慈在ICMC2016上讲解6寸化合物半导体射频体积变小 性能却更快更高  所谓化合物半导体材料,是指砷化镓、氮化镓、碳化硅等有别于第一代硅半导体的二、三代半导体。通俗地说,应用这些半导体材料,不仅可以提高能源转换效率,还能加快反应速度,并大幅缩小电路体积。  厦门三安集成电路公司副总经理杨健介绍,不仅是手机,化合物半导体的应用范围相当广泛,而且大都是市民们平常能接触的领域:WiFi电路、通讯基站、物联网,或者电源管理、电动汽车等方面。  比如,笔记本充电线上,往往还带有一块不小的适配器,如果使用高效率的氮化镓、碳化硅高功率半导体器件,它们有希望变小从而镶嵌进笔记本主机中;电动汽车也一样,使用后不仅提高电池寿命,实现电能损耗最小化,还可以使相关组件尺寸缩小,降低重量。  自主技术领先 将打破国际垄断  目前,化合物半导体集成电路以砷化镓和氮化镓材料为主,市场几乎由国外公司掌控,国内仅少数几家科研院所在进行研发和少量生产,且主要供应国内军品使用。  “我们在国内率先实现量产,将打破这种垄断局面。”杨健介绍说,三安集成电路生产线从2014年10月才开始动工建设,在不到两年的时间内已经初步具备了在国际竞争的实力。  据了解,三安集成电路的专家团队主要来自美国、日本等地,多名成员还与国外射频大厂共同参与了苹果、三星等手机方案设计,自主技术处于国际先进水平。  如...
2024-02-27
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大陆半导体产业来势汹汹,全球战况急升温,台湾亮警讯!工研院产经中心(IEK)16日警告,挟政策、资金、内需市场,及“一带一路”战略等优势进击的中国半导体产业,正积极建构以紫光集团为领头羊的整合元件制造商(IDM)生态链布局与策略投资,未来10年内,从制造、设计到封装测试,大陆将是全球半导体制造的重量级玩家,台厂面临严重考验。IEK在16日举行“群雄并起竞争加剧──2016年全球半导体产业新样貌”研讨会,从半导体上下游产业链来谈今后发展趋势。     值得关注的是,大陆政府这几年半导体政策大力推行,不惜动用国家资源挹注本土企业,清华紫光、展讯到中芯国际等红色供应链已经形成,对台厂步步进逼。     陆企近10年快速崛起     在上游IC设计业方面,IC Insights数据显示,大陆近10年快速崛起,2004年前50大没有中国业者,到了2015年,海思、展讯等7家厂商入榜,且排名呈现上升状态。IEK产业分析师范哲豪指出,两岸差距正在缩小,从规模来看,如今海思已有台湾IC设计龙头联发科的一半左右,且大于排行第二的联咏。展讯和锐迪科正式合并后,也将超越联咏。     至于晶圆代工,目前台积电仍以54.3%的全球市占率,稳居龙头宝座。不过,在《中国制造2025》背景下,IEK产业分析师陈婉仪认为,“进击的中国”将在5年迈向自主化,实现本土供应链和内需市场极大化,进而在10年后试图迈向领导阶级,发展国际规模化的产业。过程之中,大陆将持续通过海外参股并购,或引外资进驻国内等方式,补足供应链、经济规模和生态链等三大缺口。     陆制芯片随带路外销     此外,陈婉仪表示,大陆为了让钢铁、基础建设等传统产业...
2024-02-27
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你知道中国科学院上海分院吗?总有人问我,你和中科院是什么关系?你和研究所有什么不一样?你到底是做什么的呢?借着官微上线,让我来做个自我介绍吧!我是中科院在沪派出机构我是中科院大家庭的一员,是中科院的派出机构。我有11家兄弟分院,遍布祖国大江南北。我负责联系和管理中国科学院在上海、浙江、福建地区的14个研究院所和若干个非法人单元。我今年66岁  性别:保密  星座:双鱼座我诞生于1950年3月14日。曾用名:中科院华东办事处。1958年11月更名为:中科院上海分院。60多年来,上海分院的科研人员做出了众多令人瞩目的成就上海分院活跃着一大批杰出的科研人员上海分院共有13个国家重点实验室以及多个大科学平台上海光源—上海应用物理研究所上海光源是第三代中能同步辐射光源,坐落于浦东张江高科技园区,包括一台150MeV电子直线加速器、 一台全能量增强器、一台3.5GeV电子储存环和首批建造的7条光束线和实验站。上海光源自投入运行以来,显现出对我国科学研究与技术发展的重要支撑作用,成为众多学科领域前沿研究和高技术发展不可或缺的实验平台。天马望远镜—上海天文台天马望远镜口径为65M,综合性能位居全球第四,是一台具有多科学用途、观测波长覆盖厘米波到长毫米波的全方位可动的大型射电望远镜。国家蛋白质科学研究(上海)设施-上海生命科学研究院蛋白质科学研究(上海)设施将建设高通量、高精度、规模化的蛋白质制取与纯化、结构分析、功能研究等大型装置,实现技术与设备的集成化、通量化和信息化,成为我国蛋白质科学研究和技术创新基地,形成具有国际一流水平和综合示范作用的蛋白质科学研究支撑体系,全面提升蛋白质科学研究能力。我家在哪儿我家在徐汇区岳阳路319号,绿树成荫,鸟语花香,建筑风格中西合璧,古典高雅。院子里还有建于1928年的英式别墅,这可是上海优秀历史建筑。
2024-02-27
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2017 年5 月10-12 日, 中国国际展览中心(老馆),北京May 10-12, 2017 · China International Exhibition Center, Beijing背景信息:    第十二届SAMPE 中国年会将于2017 年5 月10 日至12 日在北京举办,本届年会的主题是“先进复合材料,引领绿色产业创新发展”。为期三天的展览会和国际学术会议将围绕这一主题就先进复合材料的结构设计,原材料稳定制备,工装设计,工艺制造,质量控制,规模化生产,测试与表征,加工与装配,可持续发展,工程应用等相关技术和产品的应用现状及困惑,国际发展趋势展开交流和研讨。从而,推进先进复合材料服务于更轻,更强,更节能,更环保的绿色产业创新发展。    北京,云集了航空航天复合材料众多生产企业和科研院所。同时,配套有原材料研发、复材结构设计、工艺装备、适航、测试等众多单位。作为中国的首都,方便的交通不仅辐射东北、西北、华北、华中、华东、西南等区域的航空航天、汽车、高速列车、风电、医疗器械、体育用品、安全防护等尖端领域用户,同时会吸引来自美洲、欧洲、日本、韩国、印度、巴基斯坦、新加坡、中东、台湾和香港等国家和地区的国际买家和贸易商。作为国际先进材料与制造工程学会(SAMPE)在亚洲地区最大规模的活动,SAMPE 中国年会已经成为引领我国在尖端制造领域的技术升级,产品更新换代,推动先进复合材料工程应用,促进产、学、研合作及交流的品牌性国际平台。    5 月份刚闭幕的第十一届SAMPE 中国年会的主题为:整体化,自动化,规模生产,低成本,先进复合材料工业化之路。活动集展览会、学术研讨会、学生竞赛、创新海报展示、热点技术专题讲座、会员年会为一体,紧密结合工程应用。其中,展览会吸引...
2024-02-27
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展会名称:2015第十一届中国(北京)国际铸造工业展览会举办国家:中国大陆参展时间:2015-09-09 ~ 2015-09-11报名截止:2015-09-01参展地(展馆):中国国际展览中心(新馆)批准单位:主办单位:北京铸锻行业协会  北京市机械工程学会 北京市铸造学会 中国机电产品流通协会承办单位:北京海闻展览有限公司支持协办单位: 展会简介中国(北京)国际铸造工业展览会(简称CIFE)被业界誉为“全球铸造业四大名展之一”,是业内同仁跨越国界的商贸交流平台。自创办以来,CIFE始终立足行业前沿,探讨铸造发展现状和 未来前景,致力于为企业提供最新的市场动态和最尖端的技术信息。现阶段我国铸造业整体技术装备水平仍然不高、铸件品质差,技术含量和附加值低、核心技术和关键产品依赖进口,产业 聚集程度低,能源和原材料消耗高,环境污染严重,与国际先进水平差距过大。CIFE秉承使命,整合国内外铸造资源,助力企业开发环保型原辅材料,加强对铸造新工艺、新技术、新设备的 研究,构建共性技术和高技术传输平台,推动企业间的重组和结构调整,淘汰落后产能,促进产业升级,最终实现“清洁生产,绿色铸造”。十年砥砺铸辉煌,CIFE历经风雨,破茧成蝶,逐步成长为中国境内规模最大、最具权威性的专业铸造展会之一。CIFE将于2015年9月9日在北京中国国际展览中心(新馆)隆重召开,届时将有 来自中国及世界近30个国家和地区最具实力和代表性的数百家铸造企业同台竞技,展会同期还将举办行业高层论坛、国际铸件采购洽谈会等系列精彩活动。行业龙头生产企业、品牌采购商和 学术精英汇聚一堂,荟萃万余种铸造精品,全方位展示全球铸造装备和最新技术成果,CIFE 2015诚邀海内外铸造企业齐聚北京,携手开创铸造产业的辉煌未来! 参展范围▼ 铸件:汽车、机...
2024-02-27
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