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详解IGBT结构、原理、特性

Date: 2018-06-06
Views: 22

详解IGBT结构、原理、特性

详解IGBT结构、原理、特性

详解IGBT结构、原理、特性

IGBT:  是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。

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IGBT:  是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。


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场效应管和IGBT有什么不同?
IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的,容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管,大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管,功率可以做的很大。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的,容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有



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